1、抛光过程中决定抛光质量的参数有:抛光浆体、抛光温度、抛光时间等。
2、分别采用聚氨酯抛光垫、聚四*乙烯抛光垫、无纺布抛光垫抛光钽*锂晶片,研究抛光垫材料*能对抛光效果影响。
3、一百在抛光工艺中,抛光液的种类抛光垫的选择抛光压力温度抛光盘转速加工时间等诸多条件都是决定抛光质量的重要因素
4、传统的抛光LBO晶体的方法是选用金刚石抛光粉在沥青抛光盘上抛光。
5、抛光刷,抛光方法,抛光装置及磁盘用玻璃基板的制造方法。
6、抛光垫材料:适用于各种抛光模材料。
7、一种复合式化学机械抛光法,是先在第一抛光机台中,以第一抛光盘 对待平坦层进行初步的抛光。
8、在第一抛光步骤(S20)中,用含*抛光剂抛光该化合物半导体衬底。
9、传统的抛光LBO晶体的方法是选用金刚石抛光粉在沥青抛光盘上抛光
10、研磨抛光机可以用来研磨和抛光试片。
11、这种抛光是冥想后的反思和抛光。
12、介绍了一种光学材料抛光新技术-低温抛光技术。
13、抛光面,光泽一个光滑的有光泽的抛光木或表面;光泽
14、铜已被抛光。
15、工作台带动工件往返做直线运动,电机输出动力带动抛光轮旋转接触工件进行抛光,抛光轮上加固体或液体两种抛光蜡作为抛光介质。
16、二百研磨抛光机可以用来研磨和抛光试片。
17、本文介绍了线抛光工艺及线抛光机的结构原理。
18、硼硅*盐玻璃抛光,就可以达到理想的抛光效果
19、目的研究各种抛光工具的抛光效果,寻求光固化复合树脂抛光的最佳途径。
20、抛光垫是化学机械抛光(CMP)系统的重要组成部分。
21、在电解抛光过程中用透*和反*光作显微镜观察,借以监视抛光样品,使获得最佳抛光条件。
22、探讨了机械抛光、化学抛光和光抛光等不同表面处理方法对电极特*的影响。
23、模具应抛光、淬硬。
24、被抛光光学元件的材料去除是在抛光区内实现的。
25、采用本发明的抛光液抛光后,铜表面比较光滑,表面形貌较好。