1、计入了有限高势垒效应。
2、速率依赖于，翻越势垒。
3、*代*酰*的*迁移势垒低于*酰*的*迁移势垒。
4、利用该结果分别研究了抛物线型单势垒情况、方型双势垒情况、抛物线型双势垒情况以及置于外场中的双势垒情况。
5、不同的温度势垒高度和潜能
6、其中顺式反应途径的势垒较低。
7、当势垒厚度势垒高度子阱厚度间隔层厚度掺杂浓度改变时，可以观察到DBRTD直流特*也随之改变
8、但是由于较高的库仑势垒和离心势垒，丰质子轻核比较难以形成质子晕结构。
9、最后，本文采用叠加势垒模型对晶界电子势垒的特*进行了很好的描述。
10、在分析4hsic肖特基势垒二极管正向电流热电子发*理论的基础上，计算了肖特基势垒高度？
11、这个几率与势垒区内的量子波振幅有关。
12、计算了退火前后该器件的理想因子、势垒高度。
13、势垒的涨落由指数关联的高斯*噪声描述。
14、计算结果表明，对于两对称方势垒夹一个任意形状势阱的位势，也可能存在谐振隧穿现象。
15、阐述了稀土金属硅化物的生长工艺和与硅衬底间势垒及界面特*。
16、给出了在矩形势垒区存在电场作用时，隧穿电子波函数的形式解。
17、金属中的电子必须克服这个势垒层才能进入半导体。
18、研究了镧掺杂对漏电特*的影响，以及肖特基势垒电流模型。
19、还利用原子缺陷势垒模型对几种老化现象进行了理论分析。
20、噪声参数与势垒区的复合效应密切相关，主要表现为频率指数基本不变，噪声幅值呈增大趋势。
21、本文提出一种能在毫米波很好工作的三端半导体器件—异质结势垒控制飞的电子晶体管（简称势垒飞越晶体管）。
22、基于相位时间和隧穿时间的定义计算了电子穿过方形势垒的相互作用时间，在此基础上设计一个实验尝试研究电子隧穿方形势垒的相互作用时间。
23、在该模型的基础上，讨论了势垒、阳极结的电势降落和电流的放大因子等电参数的变化。
24、数值计算结果表明，有效质量和矩形势垒参数对透*系数的影响同等重要。
25、进一步的研究表明，低1，2-链节含量对应着较低的分子链内旋转势垒和内旋转异构化能。
26、于是就能够降低形成在有机化合物层(1)(102)与有机化合物层(2)(103)之间的能量势垒。
27、模拟分析表明，一种反向势垒的存在及其击穿，应是引起负阻现象的原因。
28、在一个方面，在制备HEMT时可以利用选择*的*离子注入来产生增强背势垒的结构。
29、“这两种振幅由势垒分开，”莫汉蒂说。通过使用一双与共振硅条相应的电脉冲以触发电势，这一组合便可以在两种振幅之间转换。
30、制备了含两层绝缘层的双势垒结构隧道发光结，介绍了其结构特点，分析了电子在结中的共振隧穿特*。
