1、采用经验紧束缚近似方法模拟了Si表面L*化结构
2、采用经验紧束缚近似方法模拟了Si表面0。L*化结构。
3、由于导电高分子是宽能带体系；对于该体系来说，紧束缚近似下的SSH模型是过于粗糙的。
4、利用紧束缚近似方法,在数学软件MATLAB中绘制简立方晶格S态电子在第一布里渊区的等能面.
5、根据能带理论中紧束缚近似方法，用FORTRAN语言编制了适于微机使用的EHMO晶体轨道程序。
6、应用格林函数方法在紧束缚近似下研究了*在担载金属表面的吸附*质。
7、本论文主要研究了在紧束缚近似下，一维长程关联无序系统的输运*质，包括对角关联无序和非对角关联无序。
8、通常采用含两个耦合参数的紧束缚近似，就能很好地描述光子晶体缺陷因耦合而导致的共振频率*。
9、同研究一维准周期序列一样，首先在紧束缚近似的框架下，建立了伽罗华序列的两种模型：迁移模型和座模型，并数值计算得到了这两种模型的电子能谱结构图。
