1、原子序数越大，杂质能级越深。

2、最后定*地说明了过渡元素杂质能级的化学趋势和一些实验事实。

3、变温实验说明相应发*峰与材料禁带中形成的杂质能级有关。

4、氮化硅可以通过适当掺杂引入杂质能级，用于制造量子阱获得蓝光激光。

5、提出一种计算掺杂半导体中孤立杂质能级的方法，该方法建立在密度函数理论基础之上。

6、天然闪锌矿晶格中丰富的杂质缺陷在禁带中形成杂质能级，可将闪锌矿对光的响应拓展到可见光的波长范围。

7、在这些低维半导体结构中，除了库仑相互作用外，杂质能级还受限制势和结构尺度的影响。